会社沿革

 会社沿革

1982年

カスケード・マイクロテック株式会社の親会社である米国Cascade Microtech社の前身がオレゴン州ポートランド市郊外に設立される。設立者のEric StridとReed Gleasonは、1970年代よりTektronix社でガリウム砒素ICの開発に従事。その当時から、ウェーハの状態で高周波測定ができる測定装置の必要性を痛感

1983年

最初の製品である18GHzプローブ・ヘッド、プローブ・カード、およびModel 42型プローブ･ステーションを発表。これらの製品により、現在では標準的な測定方法となっている、GaAsデバイスのオン・ウェーハでの高周波特性評価（Sパラメータ等）の実現可能

1984年

Cascade Microtech社の製品を初めて日本で紹介。以来、同社にとって日本市場は重要な位置を占める

1985年

本社を現在の所在地、ビーバートン市へ移転。以来、市場の要求に応えて、プローブ･ヘッドの広帯域化を進める

1989年

Summit9000シリーズ・マニュアル･プローブ･ステーションを開発。更に、高周波測定用ばかりでなく、微小電流測定用、不良解析用等のプローブ･ステーションを次々と発表、オン・ウェーハ・プローブと解析用プローブ･ステーションのリーディング・カンパニーとしての地位確立

1990年

販売強化とサービス向上を目指し、100%出資の日本法人、カスケード･マイクロテック株式会社を東京都渋谷区に設立。またCascade Microtech社とHewlett-Packard社（現Agilent Technologies社）は、かねてからジョイント・マーケティングを展開。5月にHewlett-Packard社*がCascade Microtech社の株式を一部取得してからは、より密接な関係を築く。日本国内でも、日本ヒューレット・パッカード社*とカスケード･マイクロテック株式会社は、共同でマーケティング活動を展開し、トータル･ソリューション・システムを提供

1993年

製品テスト用に、薄膜技術を駆使したPyramid Probe®カードの製造を開始

1994年

ヨーロッパ地域での事業拡張のため、イギリスにCascade Microtech Europeを設立

1995年

米Alessi Industires Inc.を吸収合併し、不良解析プロービングのマーケットに参入、システム事業を強化

1996年

事業拡張のため、日本法人を東京都目黒区に移転

1998年 

超低CV/IV測定用Summit12861プローブ･ステーションを発表。Cascade Microtech社では、Pyramid Probe®カードに対する要求の急増に対応するため、薄膜製造施設を大幅拡張

1999年

狭ピッチ対応のRFIC/LSI Pyramid Probe®カードを発表、更に極低温対応のプローブや、SONET用プローブ等、様々なアプリケーションに対する製品を開発し、製品ラインナップが更に充実

2000年

SummitやAlessiシリーズ8インチ・プローブ･ステーションの優れた特長を全て継承した、300mm対応のS300プローブ･ステーションを発表し、高精度CV/IV測定を300mmウェーハ測定でも実現する

2001年

マルチコンタクトが可能で、広帯域のアナログ回路の無共振テストを実現するEye-Pass Probe®を発表

2002年

独自の同軸変換技術と最先端の薄膜技術の両方を統合した、革新的なオン・ウェーハ特性評価用プローブ、Infinity Probe®を発表し、アルミ・パッド・プロービングの課題の払拭に成功

2003年

アジア地域での事業拡張のため、シンガポールにCascade Microtech Singapore, Pte., Ltd.を設立

2003年

NASDAQに株式上場（銘柄：CSCD）

2004年

中国にCascade Microtech (Shanghai), Co., Ltd., 台湾にCascade Microtech Taiwanを設立

2006年

Gryphics(グリフィックス)社を買収